Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT43GA90BD30
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4747883Obraz APT43GA90BD30.Microsemi

APT43GA90BD30

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$10.07
10+
$9.061
30+
$8.255
120+
$7.45
270+
$6.846
510+
$6.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT43GA90BD30
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 900V 78A 337W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT43GA90BD30.pdf
    2.APT43GA90BD30.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    900V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.1V @ 15V, 47A
  • Stan testu
    600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    12ns/82ns
  • Przełączanie Energy
    875µJ (on), 425µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    337W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT43GA90BD30MI
    APT43GA90BD30MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    116nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    129A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    78A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT43GA90BD30”.
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT43M60B2

APT43M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT43GA90B

APT43GA90B

Opis: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT43F60L

APT43F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT42F50B

APT42F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT40SM120S

APT40SM120S

Opis: MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT43M60L

APT43M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT42F50S

APT42F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT41F100J

APT41F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT43F60B2

APT43F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT41M80L

APT41M80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT41M80B2

APT41M80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT44F80B2

APT44F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT40SM120J

APT40SM120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.