Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT30N60SC6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2491415Obraz APT30N60SC6.Microsemi

APT30N60SC6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30N60SC6
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT30N60SC6.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 960µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    125 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    219W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2267pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT30N60SC6”.
APT30SCD120B

APT30SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30N60KC6

APT30N60KC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30SCD65B

APT30SCD65B

Opis: DIODE SIC 650V 46A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M85BVFRG

APT30M85BVFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M70BVFRG

APT30M70BVFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT31N60BCSG

APT31N60BCSG

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M85SVFRG

APT30M85SVFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30S20BCTG

APT30S20BCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M60J

APT30M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30S20BG

APT30S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30N60BC6

APT30N60BC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M85BVRG

APT30M85BVRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Opis: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M70SVRG

APT30M70SVRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT31M100B2

APT31M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT31N80JC3

APT31N80JC3

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30S20SG

APT30S20SG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT30SCD120S

APT30SCD120S

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT31M100L

APT31M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.