Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT15F60B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4150Obraz APT15F60B.Microsemi

APT15F60B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT15F60B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    430 mOhm @ 7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    290W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2882pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)
APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 56A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GP60KG

APT15GP60KG

Opis: IGBT 600V 56A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DS60BG

APT15DS60BG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 13A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ60BCTG

APT15DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GP90BDQ1G

APT15GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 43A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ60BG

APT15DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GN120KG

APT15GN120KG

Opis: IGBT 1200V 45A 195W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15F60S

APT15F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 45A 195W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15F50K

APT15F50K

Opis: MOSFET N-CH 500V 15A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GP60BG

APT15GP60BG

Opis: IGBT 600V 56A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GF120JCU2

APT15GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ100BG

APT15DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GP90BG

APT15GP90BG

Opis: IGBT 900V 43A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ120BCTG

APT15DQ120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ120KG

APT15DQ120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ60KG

APT15DQ60KG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ120BG

APT15DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15DQ100KG

APT15DQ100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15GP60BDLG

APT15GP60BDLG

Opis: IGBT 600V 56A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść