Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT1003RKLLG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2255101

APT1003RKLLG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT1003RKLLG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 Ohm @ 2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    139W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    694pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 4A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1001RBN

APT1001RBN

Opis: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10021JLL

APT10021JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10021JFLL

APT10021JFLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10045JLL

APT10045JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10035JLL

APT10035JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1001R1BN

APT1001R1BN

Opis: MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1002RBNG

APT1002RBNG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść