Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2N6764T1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4216087

2N6764T1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2N6764T1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    2N6764T1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    65 mOhm @ 38A, 10V
  • Strata mocy (max)
    4W (Ta), 150W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-204AE
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2N6764T1”.
2N6725

2N6725

Opis: NPN SILICON POWER DARLINGTON

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6727

2N6727

Opis: PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6762

2N6762

Opis: MOSFET N-CH 500V TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6768

2N6768

Opis: MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6760

2N6760

Opis: MOSFET N-CH 400V TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6770T1

2N6770T1

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6758

2N6758

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6729

2N6729

Opis: DIE TRANS

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6768T1

2N6768T1

Opis: MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6784

2N6784

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-205AF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6764

2N6764

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6726

2N6726

Opis: TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6782U

2N6782U

Opis: MOSFET N-CH 100V 18LCC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6724

2N6724

Opis: TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N6766T1

2N6766T1

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6784U

2N6784U

Opis: MOSFET N-CH 200V 18LCC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6770

2N6770

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6766

2N6766

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6756

2N6756

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
2N6782

2N6782

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-205AF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.