Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N6461US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6272607Obraz 1N6461US.Microsemi

1N6461US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$19.29
10+
$17.535
25+
$16.22
100+
$14.905
250+
$13.59
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6461US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5V 9V B AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    9V
  • Napięcie - podziały (min)
    5.6V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, Axial
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    315A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose
1N645-1E3

1N645-1E3

Opis: SWITCHING DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N645-1

1N645-1

Opis: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N645UR-1

1N645UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6463US

1N6463US

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6461

1N6461

Opis: TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N646

1N646

Opis: SILICON SWITCHING DIODES

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6462

1N6462

Opis: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6461US/TR

1N6461US/TR

Opis: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6463

1N6463

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6392

1N6392

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6463US

1N6463US

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6462US

1N6462US

Opis: TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6391

1N6391

Opis: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6392

1N6392

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6461

1N6461

Opis: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6462US

1N6462US

Opis: TVS DIODE 6V 11V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N646-1

1N646-1

Opis: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6463

1N6463

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6461US

1N6461US

Opis: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6462

1N6462

Opis: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść