Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6073US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2854865

1N6073US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$16.779
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6073US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 3A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2.04V @ 9.4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 155°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
1N6076

1N6076

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6070A

1N6070A

Opis: TVS DIODE 160VWM 278VC DO13

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6075

1N6075

Opis: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6071A

1N6071A

Opis: TVS DIODE 170V 294V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6072

1N6072

Opis: TVS DIODE 175V 344V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6069A

1N6069A

Opis: TVS DIODE 150V 261V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6078US

1N6078US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6074US

1N6074US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6071

1N6071

Opis: TVS DIODE 165V 308V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6077

1N6077

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6074

1N6074

Opis: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6073

1N6073

Opis: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6076US

1N6076US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6078

1N6078

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6068A

1N6068A

Opis: TVS DIODE 145VWM 245VC DO13

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6069

1N6069

Opis: TVS DIODE 145V 274V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6072A

1N6072A

Opis: TVS DIODE 185VWM 328VC DO13

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6077US

1N6077US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6075US

1N6075US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6070

1N6070

Opis: TVS DIODE 155V 292V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść