Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5181
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6011237

1N5181

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$39.942
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5181
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    1N5181.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    10V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    4000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    S, Axial
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    S, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 4000V 100mA Through Hole S, Axial
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 4000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    100mA
  • Pojemność @ VR F
    -

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5181”.
1N5187

1N5187

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5062GP-E3/73

1N5062GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5062TAP

1N5062TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5189

1N5189

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5187US

1N5187US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5186

1N5186

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5061GP-E3/54

1N5061GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5182

1N5182

Opis: DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5184

1N5184

Opis: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5186US

1N5186US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5061TR

1N5061TR

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5183

1N5183

Opis: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5061GPHE3/54

1N5061GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5062GPHE3/54

1N5062GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5188

1N5188

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5188US

1N5188US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5061TAP

1N5061TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5062GP-E3/54

1N5062GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5062GPHE3/73

1N5062GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5062TR

1N5062TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.