Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N3595US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1806846Obraz 1N3595US.Microsemi

1N3595US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$13.58
10+
$12.348
100+
$10.496
500+
$8.952
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N3595US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 4A B-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 200mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    3µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 4A (DC) Surface Mount B, SQ-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1nA @ 125V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A (DC)
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N3595US”.
1N3611GPHE3/54

1N3611GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3612

1N3612

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3595

1N3595

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3531A

1N3531A

Opis: DIODE ZENER 36V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3611GP-E3/73

1N3611GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3611

1N3611

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3611GPHE3/73

1N3611GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3611GP-E3/54

1N3611GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3534A

1N3534A

Opis: DIODE ZENER 47V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3595-1

1N3595-1

Opis: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3611GP-M3/54

1N3611GP-M3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N3532A

1N3532A

Opis: DIODE ZENER 39V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3595-1E3

1N3595-1E3

Opis: DIODE ZENER 125 V DO-35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3533A

1N3533A

Opis: DIODE ZENER 43V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3611GP-M3/73

1N3611GP-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3600

1N3600

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3612GP-E3/54

1N3612GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N3530A

1N3530A

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N3595TR

1N3595TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N3595UR-1

1N3595UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.