Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - Bipolar (BJT) - RF > 10A060
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4777481

10A060

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    10A060
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    24V
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    55FT
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    21W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    55FT
  • temperatura robocza
    200°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    -
  • Rodzaj mocowania
    Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Zdobyć
    8dB ~ 8.5dB
  • Częstotliwość - Transition
    1GHz
  • szczegółowy opis
    RF Transistor NPN 24V 3A 1GHz 21W Stud Mount 55FT
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 400mA, 5V
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    3A
10A07-T

10A07-T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
10A01-TP

10A01-TP

Opis: DIODE GEN PURP 50V 10A R-6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
10A05-T

10A05-T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
10AS016C3U19I2SG

10AS016C3U19I2SG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10A01-T

10A01-T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
10AS016C3U19E2SG

10AS016C3U19E2SG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10A04-T

10A04-T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
10AS016C3U19E2LG

10AS016C3U19E2LG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10AS016E3F27E1HG

10AS016E3F27E1HG

Opis: IC SOC FPGA 240 I/O 672FBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10AMPS-CSTKIT

10AMPS-CSTKIT

Opis: 10 AMPS CURRENT SENSE TRAN PBC

Producenci: Pulse Electronics Corporation
Na stanie
10A02-T

10A02-T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
10AS016C4U19I3LG

10AS016C4U19I3LG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10AS016C4U19E3SG

10AS016C4U19E3SG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10A009

10A009

Opis: XFRMR LAMINATED THRU HOLE

Producenci: Tamura
Na stanie
10AS016C4U19I3SG

10AS016C4U19I3SG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10A030

10A030

Opis: TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2

Producenci: Microsemi
Na stanie
10AS016C4U19E3LG

10AS016C4U19E3LG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10AS016C3U19I2LG

10AS016C3U19I2LG

Opis: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Producenci: Intel® FPGAs
Na stanie
10A015

10A015

Opis: TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2

Producenci: Microsemi
Na stanie
10A06-T

10A06-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 10A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść