Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3153460

MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1360+
$62.525
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.1V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seria
    -
  • Inne nazwy
    MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C-ND
    MT53D768M32D4BD-053WTES:C
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    24Gb (768M x 32)
  • Interfejs pamięci
    -
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy
    Lead free
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (768M x 32) 1866MHz
  • Częstotliwość zegara
    1866MHz
MT53D768M32D4BD-053 WT:C

MT53D768M32D4BD-053 WT:C

Opis: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A

MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA WT QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR

MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA WT QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR

Opis: LPDDR4 24G 768MX32 FBGA DDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

Opis: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A

Opis: LPDDR4 24G 768MX32 FBGA DDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M32D4CB-053 WT:C

MT53D768M32D4CB-053 WT:C

Opis: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA WT QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D6DABE-DC

MT53D6DABE-DC

Opis: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8HR-053 WT:B

MT53D512M64D8HR-053 WT:B

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

Opis: LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść