Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6523238

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$68.89
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.1V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Inne nazwy
    MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR-ND
    MT53B512M64D4NH-062WTES:CTR
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    32Gb (512M x 64)
  • Interfejs pamięci
    -
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • Częstotliwość zegara
    1600MHz

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR”.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

Opis: IC DRAM 16G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT:C

MT53B512M64D4NK-053 WT:C

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR

Opis: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NH-062 WT:C

MT53B512M64D4NH-062 WT:C

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M32D2NP-062 WT:D

MT53B512M32D2NP-062 WT:D

Opis: IC DRAM 16G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M32D2NP-062 WT:C

MT53B512M32D2NP-062 WT:C

Opis: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

Opis: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

Opis: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.