Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT53B256M32D1DS-062 AAT:C
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5711314

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1360+
$22.524
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT53B256M32D1DS-062 AAT:C
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 8G 1600MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.1V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seria
    -
  • Inne nazwy
    MT53B256M32D1DS-062 AAT:C-ND
    MT53B256M32D1DS-062AAT:C
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    8Gb (256M x 32)
  • Interfejs pamięci
    -
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • Częstotliwość zegara
    1600MHz
MT53B1DBNP-DC TR

MT53B1DBNP-DC TR

Opis: IC SDRAM LPDDR4 0 ?X32 BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

Opis: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D

MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D

Opis: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

Opis: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

Opis: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

Opis: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

Opis: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M16D1Z00MWC1

MT53B256M16D1Z00MWC1

Opis: LPDDR4 4G DIE 256MX16

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G64D8NW-062 WT:D

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

Opis: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

Opis: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 XT:C

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

Opis: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

Opis: IC DRAM 8G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść