Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3118939

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$13.337
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.1V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Inne nazwy
    MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR-ND
    MT53B128M32D1NP-062AUT:ATR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (128M x 32)
  • Interfejs pamięci
    -
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • Częstotliwość zegara
    1600MHz
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

Opis: IC DRAM 6G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR

Opis: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

Opis: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

Opis: IC DRAM 6G 1866MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

Opis: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1Z00NWC2

MT53B128M32D1Z00NWC2

Opis: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

Opis: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

Opis: IC DRAM 6G 1866MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

MT53B128M32D1NP-062 WT:A

Opis: IC DRAM 4G 1600MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść