Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT47H512M4THN-37E:E TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5401108Obraz MT47H512M4THN-37E:E TR.Micron Technology

MT47H512M4THN-37E:E TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$62.993
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H512M4THN-37E:E TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MT47H512M4THN-37E:E TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    63-FBGA (9x11.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    63-FBGA
  • Inne nazwy
    MT47H512M4THN-37E:E TR-ND
    MT47H512M4THN-37E:ETR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (512M x 4)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 267MHz 500ps 63-FBGA (9x11.5)
  • Częstotliwość zegara
    267MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H512M4
  • Czas dostępu
    500ps

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT47H512M4THN-37E:E TR”.
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.