Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT47H32M16NF-25E AIT:H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1456200

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1368+
$5.549
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT47H32M16NF-25E AIT:H
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    84-FBGA (8x12.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    84-TFBGA
  • Inne nazwy
    MT47H32M16NF-25E AIT:H-ND
    MT47H32M16NF-25EAIT:H
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (32M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz
  • Podstawowy numer części
    MT47H32M16
  • Czas dostępu
    400ps

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT47H32M16NF-25E AIT:H”.
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HR-25E:G TR

MT47H32M16HR-25E:G TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HW-25E IT:G

MT47H32M16HW-25E IT:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HR-3:G TR

MT47H32M16HR-3:G TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HW-25E:G

MT47H32M16HW-25E:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HR-3:G

MT47H32M16HR-3:G

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16HR-3:F

MT47H32M16HR-3:F

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-187E:H

MT47H32M16NF-187E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.