Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT44K64M18RB-083E:A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3594003

MT44K64M18RB-083E:A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1190+
$97.188
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT44K64M18RB-083E:A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Technologia
    DRAM
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1.125Gb (64Mb x 18)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 7.5ns
  • Częstotliwość zegara
    1200MHz
  • Czas dostępu
    7.5ns
MT44K32M36RB-093F:A TR

MT44K32M36RB-093F:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-107E:A TR

MT44K32M36RB-107E:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-107E:A

MT44K64M18RB-107E:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-083E:A TR

MT44K64M18RB-083E:A TR

Opis: IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-093F:A TR

MT44K64M18RB-093F:A TR

Opis: IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RCT-125:A TR

MT44K32M36RCT-125:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-107E IT:A

MT44K32M36RB-107E IT:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-107E IT:A TR

MT44K64M18RB-107E IT:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-083F:A

MT44K64M18RB-083F:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-093E:A TR

MT44K64M18RB-093E:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-093E:A

MT44K64M18RB-093E:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-107E:A

MT44K32M36RB-107E:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-093F:A

MT44K32M36RB-093F:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-083F:A TR

MT44K64M18RB-083F:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-107E IT:A TR

MT44K32M36RB-107E IT:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RB-093E:A TR

MT44K32M36RB-093E:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-093F:A

MT44K64M18RB-093F:A

Opis: RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K64M18RB-107E IT:A

MT44K64M18RB-107E IT:A

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT44K32M36RCT-125E:A TR

MT44K32M36RCT-125E:A TR

Opis: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść