Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41K256M8HX-15E:D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1749581

MT41K256M8HX-15E:D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$11.197
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT41K256M8HX-15E:D
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (9x11.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    78-TFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (256M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (9x11.5)
  • Częstotliwość zegara
    667MHz
  • Podstawowy numer części
    MT41K256M8
  • Czas dostępu
    13.5ns
MT41K2G4RKB-107:N TR

MT41K2G4RKB-107:N TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4SN-107:A TR

MT41K2G4SN-107:A TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4SN-125:A TR

MT41K2G4SN-125:A TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8HX-187E:D

MT41K256M8HX-187E:D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-15E:M

MT41K256M8DA-15E:M

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4SN-125:A

MT41K2G4SN-125:A

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 AIT:K

MT41K256M8DA-125 AIT:K

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR

MT41K256M8DA-125 AIT:K TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4TRF-107:E

MT41K2G4TRF-107:E

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 AUT:K

MT41K256M8DA-125 AUT:K

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125:K TR

MT41K256M8DA-125:K TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4TRF-107:E TR

MT41K2G4TRF-107:E TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125:M

MT41K256M8DA-125:M

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8V89CWC1

MT41K256M8V89CWC1

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 IT:K TR

MT41K256M8DA-125 IT:K TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4TRF-125:E

MT41K2G4TRF-125:E

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K2G4RKB-107:N

MT41K2G4RKB-107:N

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 IT:K

MT41K256M8DA-125 IT:K

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR

MT41K256M8DA-125 AUT:K TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT41K256M8DA-125:K

MT41K256M8DA-125:K

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść