Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5054455Obraz MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR.Micron Technology

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$11.722
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3L
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    96-FBGA (8x14)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    96-TFBGA
  • Inne nazwy
    MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR-ND
    MT41K256M16TW-107MAIT:PTR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (256M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Częstotliwość zegara
    933MHz
  • Czas dostępu
    20ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR”.
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Opis: MEMORY DRAM

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

Opis: DDR3 4G DIE 256MX16

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-093:P TR

MT41K256M16TW-093:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Opis: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P

MT41K256M16TW-107 AT:P

Opis: MEMORY DRAM

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.