Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41J512M8RH-107:E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3221337

MT41J512M8RH-107:E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$6.143
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT41J512M8RH-107:E
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MT41J512M8RH-107:E.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-FBGA (9x10.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    78-TFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (512M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Częstotliwość zegara
    933MHz
  • Podstawowy numer części
    MT41J512M8
  • Czas dostępu
    20ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT41J512M8RH-107:E”.
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M4HX-15E:D

MT41J512M4HX-15E:D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8RH-093:E TR

MT41J512M8RH-093:E TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J256M8JE-15E:A

MT41J256M8JE-15E:A

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J256M8JE-187E:A

MT41J256M8JE-187E:A

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J64M16JT-125:G

MT41J64M16JT-125:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8THD-187E:D

MT41J512M8THD-187E:D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8THD-15E:D

MT41J512M8THD-15E:D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M4HX-125:D

MT41J512M4HX-125:D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8THU-187E:A

MT41J512M8THU-187E:A

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8THU-15E:A

MT41J512M8THU-15E:A

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J64M16JT-15E AAT:G

MT41J64M16JT-15E AAT:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M4HX-187E:D

MT41J512M4HX-187E:D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J64M16JT-107:G

MT41J64M16JT-107:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J64M16JT-125:G TR

MT41J64M16JT-125:G TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M4JE-15E:A

MT41J512M4JE-15E:A

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8RA-15E IT:D

MT41J512M8RA-15E IT:D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J64M16JT-125E:G

MT41J64M16JT-125E:G

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J256M8HX-187E:D

MT41J256M8HX-187E:D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.