Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1997

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$6.986
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.8V
  • Technologia
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • Seria
    -
  • Inne nazwy
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-ND
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80E
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    FLASH, RAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • Częstotliwość zegara
    533MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E”.
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

Opis: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

Opis: IC FLASH 8G DDR

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

Opis: IC FLASH 8G DDR

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Opis: IC FLASH 1.5G DDR

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

Opis: IC FLASH 1.5G DDR

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

Opis: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

Opis: MASSFLASH/LPDDR2 6G

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

Opis: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

Opis: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.