Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT29E4T08EYHBBG9-3:B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5355546

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
980+
$213.362
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT29E4T08EYHBBG9-3:B
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    FLASH - NAND
  • Seria
    -
  • temperatura robocza
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Tb (512G x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    FLASH
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Częstotliwość zegara
    333MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MT29E4T08EYHBBG9-3:B”.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Opis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Opis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

Opis: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Opis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

Opis: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Opis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Opis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

Opis: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Opis: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Opis: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.