Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > EDBM432B3PB-1D-F-R TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4880885

EDBM432B3PB-1D-F-R TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$17.583
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDBM432B3PB-1D-F-R TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    168-FBGA (12x12)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    168-VFBGA
  • Inne nazwy
    EDBM432B3PB-1D-F-R TR-ND
    EDBM432B3PB-1D-F-RTR
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    12Gb (384M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 12Gb (384M x 32) Parallel 533MHz 168-FBGA (12x12)
  • Częstotliwość zegara
    533MHz
EDBM432B3PB-1D-F-D

EDBM432B3PB-1D-F-D

Opis: IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA164B2PR-1D-F-R TR

EDBA164B2PR-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBM432B3PD-1D-F-R TR

EDBM432B3PD-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA164B2PF-1D-F-R TR

EDBA164B2PF-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA164B2PR-1D-F-D

EDBA164B2PR-1D-F-D

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA232B2PB-1D-F-R TR

EDBA232B2PB-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBM432B3PD-1D-F-D

EDBM432B3PD-1D-F-D

Opis: IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB9301

EDB9301

Opis: KIT DEVELOPMENT EP9301 ARM9

Producenci: Cirrus Logic
Na stanie
EDBA232B2PD-1D-F-D

EDBA232B2PD-1D-F-D

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA232B2PD-1D-F-R TR

EDBA232B2PD-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB9302A-Z

EDB9302A-Z

Opis: KIT DEVELOPMENT EP9302 ARM9

Producenci: Cirrus Logic
Na stanie
EDBM432B3PF-1D-F-D

EDBM432B3PF-1D-F-D

Opis: IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA232B2PF-1D-F-R TR

EDBA232B2PF-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA164B2PF-1D-F-D

EDBA164B2PF-1D-F-D

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB9307A-Z

EDB9307A-Z

Opis: KIT DEVELOPMENT EP9307 ARM9

Producenci: Cirrus Logic
Na stanie
EDB9315A-Z

EDB9315A-Z

Opis: KIT DEVELOPMENT EP9315 ARM9

Producenci: Cirrus Logic
Na stanie
EDBM432B3PF-1D-F-R TR

EDBM432B3PF-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDBA232B2PF-1D-F-D

EDBA232B2PF-1D-F-D

Opis: IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść