Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Poproś o wycenę
polski
4439119Obraz EDB4432BBPA-1D-F-R TR.Micron Technology

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$9.212
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDB4432BBPA-1D-F-R TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    168-FBGA (12x12)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    168-WFBGA
  • Inne nazwy
    EDB4432BBPA-1D-F-R TR-ND
    EDB4432BBPA-1D-F-RTR
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (128M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 168-FBGA (12x12)
  • Częstotliwość zegara
    533MHz
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść