Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7006507

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$9.975
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR
  • Producent / marka
    Micron Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    134-FBGA (10x11.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    134-WFBGA
  • Inne nazwy
    EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR-ND
    EDB4416BBBH-1DIT-F-RTR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (256M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Częstotliwość zegara
    533MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR”.
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B4PB-1D-F-D

EDB4064B4PB-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-D

EDB4064B4PB-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.