Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > DS1225AD-200IND+
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7035105Obraz DS1225AD-200IND+.Maxim Integrated

DS1225AD-200IND+

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$23.34
10+
$22.174
25+
$20.464
50+
$19.441
100+
$17.598
250+
$16.718
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DS1225AD-200IND+
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    200ns
  • Napięcie - Dostawa
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    28-EDIP
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Inne nazwy
    DS1225AD200IND
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    64Kb (8K x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    NVSRAM
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
  • Podstawowy numer części
    DS1225A
  • Czas dostępu
    200ns
DS1225Y-150+

DS1225Y-150+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225Y-200IND+

DS1225Y-200IND+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-150

DS1225AD-150

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-70

DS1225AD-70

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225Y-150IND+

DS1225Y-150IND+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-70IND+

DS1225AD-70IND+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-150+

DS1225AD-150+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-150IND

DS1225AD-150IND

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AB-85

DS1225AB-85

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-70IND

DS1225AD-70IND

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-200+

DS1225AD-200+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AB-85+

DS1225AB-85+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-170+

DS1225AD-170+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-150IND+

DS1225AD-150IND+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-85

DS1225AD-85

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-200IND

DS1225AD-200IND

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-85+

DS1225AD-85+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-70+

DS1225AD-70+

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie
DS1225AD-200

DS1225AD-200

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

Producenci: Maxim Integrated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść