Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RV2C002UNT2L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5728385Obraz RV2C002UNT2L.LAPIS Semiconductor

RV2C002UNT2L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
8000+
$0.067
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RV2C002UNT2L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DFN1006-3 (VML1006)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2 Ohm @ 150mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    100mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-101, SOT-883
  • Inne nazwy
    RV2C002UNT2LTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    12pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    180mA (Ta)
RV2512JK-074M7L

RV2512JK-074M7L

Opis: RES SMD 4.7M OHM 5% 1W 2512

Producenci: Yageo
Na stanie
RV2H-2G-D110-C1D2

RV2H-2G-D110-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 110V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV271K07T

RV271K07T

Opis: VARISTOR 270V 1.2KA DISC 7MM

Producenci: Stackpole Electronics, Inc.
Na stanie
RV2H-2G-D60-C1D2

RV2H-2G-D60-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 60V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2C014BCT2CL

RV2C014BCT2CL

Opis: MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RV271K10T

RV271K10T

Opis: VARISTOR 270V 2.5KA DISC 10MM

Producenci: Stackpole Electronics, Inc.
Na stanie
RV2H-2G-D48-C1D2

RV2H-2G-D48-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 48V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2H-2G-D18-C1D2

RV2H-2G-D18-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 18V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2C001ZPT2L

RV2C001ZPT2L

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RV26D2DC0CB-K4C

RV26D2DC0CB-K4C

Opis: SWITCH SELECT 3POS DPDT 20A 12V

Producenci: Carling Technologies
Na stanie
RV2H-2G-D24-C1D2

RV2H-2G-D24-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 24V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2H-2G-D12-C1D2

RV2H-2G-D12-C1D2

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV271K14T

RV271K14T

Opis: VARISTOR 270V 4.5KA DISC 14MM

Producenci: Stackpole Electronics, Inc.
Na stanie
RV2H-2G-D9-C1D2

RV2H-2G-D9-C1D2

Opis: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 9V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2512JK-0715ML

RV2512JK-0715ML

Opis: RES SMD 15M OHM 5% 1W 2512

Producenci: Yageo
Na stanie
RV2512JK-0710ML

RV2512JK-0710ML

Opis: RES SMD 10M OHM 5% 1W 2512

Producenci: Yageo
Na stanie
RV2512JK-076M8L

RV2512JK-076M8L

Opis: RES SMD 6.8M OHM 5% 1W 2512

Producenci: Yageo
Na stanie
RV2H-2G-D5-C1D2

RV2H-2G-D5-C1D2

Opis: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V

Producenci: IDEC
Na stanie
RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L

Opis: MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RV2512JK-075M6L

RV2512JK-075M6L

Opis: RES SMD 5.6M OHM 5% 1W 2512

Producenci: Yageo
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść