Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RRF015P03GTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6129558Obraz RRF015P03GTL.LAPIS Semiconductor

RRF015P03GTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.55
10+
$0.391
100+
$0.257
500+
$0.152
1000+
$0.117
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RRF015P03GTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RRF015P03GTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    160 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    320mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RRF015P03GTLCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    230pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 1.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RRF015P03GTL”.
IRF7726TRPBF

IRF7726TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SPA11N80C3XKSA1

SPA11N80C3XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RRF015P03TL

RRF015P03TL

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPP45N06S4L08AKSA1

IPP45N06S4L08AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVMFS5C410NLWFAFT1G

NVMFS5C410NLWFAFT1G

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD60NH03L-1

STD60NH03L-1

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STW14NM50

STW14NM50

Opis: MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPL65R420E6AUMA1

IPL65R420E6AUMA1

Opis: MOSFET N-CH 4VSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SSM3K72CTC,L3F

SSM3K72CTC,L3F

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SI3441BDV-T1-E3

SI3441BDV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
PHP23NQ11T,127

PHP23NQ11T,127

Opis: MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRF3515STRL

IRF3515STRL

Opis: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Opis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD12NF06-1

STD12NF06-1

Opis: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF9530NL

IRF9530NL

Opis: MOSFET P-CH 100V 14A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPP60R074C6XKSA1

IPP60R074C6XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI9433BDY-T1-GE3

SI9433BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

Opis: MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.