Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RP1E090XNTCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4806694Obraz RP1E090XNTCR.LAPIS Semiconductor

RP1E090XNTCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RP1E090XNTCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RP1E090XNTCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    MPT6
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    17 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RP1E090XNTCRCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    440pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RP1E090XNTCR”.
RP1E100XNTR

RP1E100XNTR

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1E125XNTR

RP1E125XNTR

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1E090RPTR

RP1E090RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1A23D5

RP1A23D5

Opis: SSR RELAY SPST-NO 5A 12-265V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1E050RPTR

RP1E050RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1A23D5M1

RP1A23D5M1

Opis: SSR RELAY SPST-NO 5A 12-265V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1D060D8

RP1D060D8

Opis: SSR RELAY SPST-NO 60A 1-60V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1E075RPTR

RP1E075RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP19-TC-11

RP19-TC-11

Opis: TOOL HAND CRIMPER 18-22AWG SIDE

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
RP1L055SNTR

RP1L055SNTR

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1A23D3

RP1A23D3

Opis: SSR RELAY SPST-NO 3A 12-265V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1A23D10

RP1A23D10

Opis: SSR ZS PCB MT W/H.S. 230V 10A

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP19-TC-12

RP19-TC-12

Opis: TOOL HAND CRIMPER 24-28AWG SIDE

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
RP1D060D4M1

RP1D060D4M1

Opis: SSR RELAY SPST-NO 4A 1-60V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1A090ZPTR

RP1A090ZPTR

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1L080SNTR

RP1L080SNTR

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1H065SPTR

RP1H065SPTR

Opis: MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1E100RPTR

RP1E100RPTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RP1D060D4

RP1D060D4

Opis: SSR RELAY SPST-NO 15A 1-60V

Producenci: Carlo Gavazzi
Na stanie
RFQ
RP1E070XNTCR

RP1E070XNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.