Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RK7002AT116
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7060042Obraz RK7002AT116.LAPIS Semiconductor

RK7002AT116

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RK7002AT116
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RK7002AT116.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SST3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 Ohm @ 300mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    RK7002AT116-ND
    RK7002AT116TR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    33pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RK7002AT116”.
RK7002BMHZGT116

RK7002BMHZGT116

Opis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BSP304A,126

BSP304A,126

Opis: MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FCH150N65F-F155

FCH150N65F-F155

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STW80NE06-10

STW80NE06-10

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF640NL

IRF640NL

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AUIRL7736M2TR

AUIRL7736M2TR

Opis: MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOTF16N50_002

AOTF16N50_002

Opis: MOSFET N-CH TO220

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IPP50R280CEXKSA1

IPP50R280CEXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RK7002BT116

RK7002BT116

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK754R0-55B,127

BUK754R0-55B,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
NTLJS3180PZTBG

NTLJS3180PZTBG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ZVNL120CSTZ

ZVNL120CSTZ

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RK7002T116

RK7002T116

Opis: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPI21N50C3XKSA1

SPI21N50C3XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTH90P10P

IXTH90P10P

Opis: MOSFET P-CH 100V 90A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFS4510PBF

IRFS4510PBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RK7002BMT116

RK7002BMT116

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLR4343TR

IRLR4343TR

Opis: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.