Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RJU002N06T106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1239707Obraz RJU002N06T106.LAPIS Semiconductor

RJU002N06T106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.54
10+
$0.379
100+
$0.249
500+
$0.147
1000+
$0.113
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RJU002N06T106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RJU002N06T106.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RJU002N06T106DKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    18pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RJU002N06T106”.
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Opis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Opis: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Opis: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.