Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > RGW80TS65GC11
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6253905Obraz RGW80TS65GC11.LAPIS Semiconductor

RGW80TS65GC11

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.88
10+
$4.358
25+
$3.922
100+
$3.573
250+
$3.225
500+
$2.893
1000+
$2.44
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RGW80TS65GC11
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RGW80TS65GC11.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.9V @ 15V, 40A
  • Stan testu
    400V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    44ns/143ns
  • Przełączanie Energy
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247N
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    214W
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    110nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 650V 78A 214W Through Hole TO-247N
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    160A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    78A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RGW80TS65GC11”.
IRG6I330U-168P

IRG6I330U-168P

Opis: IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

Opis: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Opis: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

Opis: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW00TS65GC11

RGW00TS65GC11

Opis: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Opis: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
RGW-100-1Y

RGW-100-1Y

Opis: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

Opis: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW-24-1Y

RGW-24-1Y

Opis: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Opis: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11

Opis: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

Opis: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Opis: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
IXGH28N60BD1

IXGH28N60BD1

Opis: IGBT 600V 40A 150W TO247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Opis: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Opis: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGW-32-1Y

RGW-32-1Y

Opis: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
IRG8CH106K10F

IRG8CH106K10F

Opis: IGBT 1200V 110A DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11

Opis: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.