Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RDX050N50FU6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
436313Obraz RDX050N50FU6.LAPIS Semiconductor

RDX050N50FU6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RDX050N50FU6
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RDX050N50FU6.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220FM
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    35W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RDX050N50FU6”.
SUM70N04-07L-E3

SUM70N04-07L-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RDX060N60FU6

RDX060N60FU6

Opis: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTA3N150HV

IXTA3N150HV

Opis: MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRLZ44S

IRLZ44S

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RDX080N50FU6

RDX080N50FU6

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF7811AVTRPBF

IRF7811AVTRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RDX100N60FU6

RDX100N60FU6

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDX120N50FU6

RDX120N50FU6

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF1404LPBF

IRF1404LPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 162A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTR4501NST1G

NTR4501NST1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PHX27NQ11T,127

PHX27NQ11T,127

Opis: MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
STB21N65M5

STB21N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
RDX045N60FU6

RDX045N60FU6

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MCP87018T-U/MF

MCP87018T-U/MF

Opis: MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
IRF7456TRPBF

IRF7456TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRL1404S

IRL1404S

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
HAT2088R-EL-E

HAT2088R-EL-E

Opis: MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
SSM3K35AFS,LF

SSM3K35AFS,LF

Opis: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.