Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6024KNJTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1418293Obraz R6024KNJTL.LAPIS Semiconductor

R6024KNJTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.15
10+
$3.702
100+
$3.035
500+
$2.458
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6024KNJTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.R6024KNJTL.pdf
    2.R6024KNJTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    LPTS
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    245W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    R6024KNJTLCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6024KNJTL”.
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.