Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6002END3TL1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3053031Obraz R6002END3TL1.LAPIS Semiconductor

R6002END3TL1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.14
10+
$1.013
100+
$0.801
500+
$0.621
1000+
$0.49
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6002END3TL1
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    NCH 600V 2A POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6002END3TL1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    26W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    R6002END3TL1DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6002END3TL1”.
R6002ENDTL

R6002ENDTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6002625XXYA

R6002625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60030-2COR

R60030-2COR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6002425XXYA

R6002425XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60030-1CR

R60030-1CR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R60030-2PR

R60030-2PR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6001830XXYA

R6001830XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60030-2CR

R60030-2CR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6002025XXYA

R6002025XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6001625XXYA

R6001625XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60030-2SR

R60030-2SR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6002030XXYA

R6002030XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6001825XXYA

R6001825XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60030-1SR

R60030-1SR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R60030-1PR

R60030-1PR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R60030-1COR

R60030-1COR

Opis: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6001630XXYA

R6001630XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6003-00

R6003-00

Opis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM

Producenci: Harwin
Na stanie
RFQ
R6001430XXYA

R6001430XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6002225XXYA

R6002225XXYA

Opis: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.