Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > IMB4AT110
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4193936Obraz IMB4AT110.LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IMB4AT110
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IMB4AT110.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMT6
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    -
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    300mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-74, SOT-457
  • Inne nazwy
    IMB4AT110CT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    -
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    MB4

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IMB4AT110”.
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Opis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Opis: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Opis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Opis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Opis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Opis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Opis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Opis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Opis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Opis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Opis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Producenci: Crouzet
Na stanie
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.