Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ND89N12KHPSA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2555647

ND89N12KHPSA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
15+
$87.535
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ND89N12KHPSA1
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    BG-PB20-1
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    Module
  • Inne nazwy
    ND89N12K
    SP000091553
  • Temperatura pracy - złącze
    -40°C ~ 135°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1200V 89A Chassis Mount BG-PB20-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    20mA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    89A
  • Pojemność @ VR F
    -
UGB12JTHE3/45

UGB12JTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MBR3560

MBR3560

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 35A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
ND89N08KHPSA1

ND89N08KHPSA1

Opis: MOD POWERBLOCK PB20-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
PMEG2005ET,215

PMEG2005ET,215

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOT23

Producenci: Nexperia
Na stanie
TSPB5H150S S1G

TSPB5H150S S1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMPC4.0

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BYV29F-300-E3/45

BYV29F-300-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
MR2504

MR2504

Opis: DIODE GP 400V 25A MICRODE BUTTON

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
S25MR

S25MR

Opis: DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
VS-45LR60

VS-45LR60

Opis: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SS23-M3/5BT

SS23-M3/5BT

Opis: DIODE SCHOTTKY 2A 30V DO-214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-10TQ040PBF

VS-10TQ040PBF

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
60S8-TP

60S8-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
CPW2-1200-S005B

CPW2-1200-S005B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
SE07PJ-M3/85A

SE07PJ-M3/85A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 700MA DO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
VS-5EWH06FNTRR-M3

VS-5EWH06FNTRR-M3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
V8P45HM3_A/I

V8P45HM3_A/I

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RBR5LAM40ATR

RBR5LAM40ATR

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
ND89N16KHPSA1

ND89N16KHPSA1

Opis: DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RSFDLHRUG

RSFDLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść