Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPT111N20NFDATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5205663Obraz IPT111N20NFDATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT111N20NFDATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$4.363
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPT111N20NFDATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPT111N20NFDATMA1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 267µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-HSOF-8
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.1 mOhm @ 96A, 10V
  • Strata mocy (max)
    375W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerSFN
  • Inne nazwy
    IPT111N20NFDATMA1-ND
    IPT111N20NFDATMA1TR
    SP001340384
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7000pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    96A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPT111N20NFDATMA1”.
IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

Opis: HIGH POWER_NEW

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-07-S-D

IPT1-125-07-S-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT1-150-01-L-D-RA

IPT1-150-01-L-D-RA

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT60R050G7XTMA1

IPT60R050G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT65R105G7XTMA1

IPT65R105G7XTMA1

Opis: HIGH POWER_NEW

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-08-S-D

IPT1-125-08-S-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT60R150G7XTMA1

IPT60R150G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-150-01-S-D-RA

IPT1-150-01-S-D-RA

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-08-L-D-PL

IPT1-125-08-L-D-PL

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT60R125G7XTMA1

IPT60R125G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-150-01-S-D-VS

IPT1-150-01-S-D-VS

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-08-L-D

IPT1-125-08-L-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-09-S-D

IPT1-125-09-S-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT65R033G7XTMA1

IPT65R033G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT60R028G7XTMA1

IPT60R028G7XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPT1-125-09-L-D

IPT1-125-09-L-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPT1-150-01-S-D

IPT1-150-01-S-D

Opis: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.