Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD80R2K8CEATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1950297Obraz IPD80R2K8CEATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R2K8CEATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.522
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD80R2K8CEATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD80R2K8CEATMA1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 120µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    CoolMOS™ CE
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    42W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD80R2K8CEATMA1-ND
    IPD80R2K8CEATMA1TR
    SP001130970
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    290pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD80R2K8CEATMA1”.
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD85P04P4L06ATMA1

IPD85P04P4L06ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD85P04P407ATMA1

IPD85P04P407ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.