Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD65R400CEAUMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6144740Obraz IPD65R400CEAUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R400CEAUMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.463
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD65R400CEAUMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V TO-252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD65R400CEAUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 320µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    400 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    118W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD65R400CEAUMA1-ND
    IPD65R400CEAUMA1TR
    SP001466800
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    710pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15.1A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD65R400CEAUMA1”.
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R1K4CFDBTMA1

IPD65R1K4CFDBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R600C6ATMA1

IPD65R600C6ATMA1

Opis: LOW POWER_LEGACY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R600E6BTMA1

IPD65R600E6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R650CEATMA1

IPD65R650CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R600C6BTMA1

IPD65R600C6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R380C6BTMA1

IPD65R380C6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD65R650CEAUMA1

IPD65R650CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.