Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD60R1K4C6ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6431547Obraz IPD60R1K4C6ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R1K4C6ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.11
10+
$0.971
100+
$0.749
500+
$0.555
1000+
$0.444
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD60R1K4C6ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD60R1K4C6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 90µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    CoolMOS™ C6
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    28.4W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD60R1K4C6ATMA1CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    200pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD60R1K4C6ATMA1”.
IPD60R2K1CEBTMA1

IPD60R2K1CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R1K5CEATMA1

IPD60R1K5CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R1K5CEAUMA1

IPD60R1K5CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R280CFD7ATMA1

IPD60R280CFD7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R2K0C6ATMA1

IPD60R2K0C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R180P7SAUMA1

IPD60R180P7SAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R280P7SAUMA1

IPD60R280P7SAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R2K0C6BTMA1

IPD60R2K0C6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.