Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD50R950CEBTMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4158395Obraz IPD50R950CEBTMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R950CEBTMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.317
5000+
$0.295
12500+
$0.284
25000+
$0.273
62500+
$0.269
125000+
$0.262
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD50R950CEBTMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.IPD50R950CEBTMA1.pdf
    2.IPD50R950CEBTMA1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    950 mOhm @ 1.2A, 13V
  • Strata mocy (max)
    34W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD50R950CE
    IPD50R950CEBTMA1TR
    IPD50R950CEINTR
    IPD50R950CEINTR-ND
    SP000992070
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    231pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD50R950CEBTMA1”.
IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R950CEATMA1

IPD50R950CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R650CEBTMA1

IPD50R650CEBTMA1

Opis: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R520CPATMA1

IPD50R520CPATMA1

Opis: LOW POWER_LEGACY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

Opis: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R800CEBTMA1

IPD50R800CEBTMA1

Opis: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 21A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R950CEAUMA1

IPD50R950CEAUMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1

Opis: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 25A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD530N15N3GBTMA1

IPD530N15N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R650CEAUMA1

IPD50R650CEAUMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD5N03LAG

IPD5N03LAG

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R520CPBTMA1

IPD50R520CPBTMA1

Opis: LOW POWER_LEGACY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD5N25S3430ATMA1

IPD5N25S3430ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R800CEAUMA1

IPD50R800CEAUMA1

Opis: CONSUMER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.