Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD50N10S3L16ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1515524Obraz IPD50N10S3L16ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50N10S3L16ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.75
10+
$1.546
100+
$1.222
500+
$0.948
1000+
$0.748
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD50N10S3L16ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD50N10S3L16ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 60µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    15 mOhm @ 50A, 10V
  • Strata mocy (max)
    100W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD50N10S3L-16DKR
    IPD50N10S3L-16DKR-ND
    IPD50N10S3L16ATMA1DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4180pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD50N10S3L16ATMA1”.
IPD50R280CEATMA1

IPD50R280CEATMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S2L13ATMA1

IPD50N06S2L13ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R2K0CEAUMA1

IPD50R2K0CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R280CEAUMA1

IPD50R280CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N12S3L15ATMA1

IPD50N12S3L15ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S214ATMA2

IPD50N06S214ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R280CEBTMA1

IPD50R280CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50R1K4CEBTMA1

IPD50R1K4CEBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S409ATMA1

IPD50N06S409ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N06S4L12ATMA1

IPD50N06S4L12ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50P03P4L11ATMA1

IPD50P03P4L11ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD50N08S413ATMA1

IPD50N08S413ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.