Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD30N10S3L34ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1054062Obraz IPD30N10S3L34ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N10S3L34ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.11
10+
$0.983
100+
$0.777
500+
$0.603
1000+
$0.476
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD30N10S3L34ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD30N10S3L34ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 29µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    31 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    57W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD30N10S3L-34DKR
    IPD30N10S3L-34DKR-ND
    IPD30N10S3L34ATMA1DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1976pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD30N10S3L34ATMA1”.
IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 34A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD35N12S3L24ATMA1

IPD35N12S3L24ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD400N06NGBTMA1

IPD400N06NGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 27A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD40N03S4L08ATMA1

IPD40N03S4L08ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD33CN10NGBUMA1

IPD33CN10NGBUMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD350N06LGBTMA1

IPD350N06LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.