Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD082N10N3GBTMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4019165Obraz IPD082N10N3GBTMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD082N10N3GBTMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD082N10N3GBTMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD082N10N3GBTMA1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 75µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8.2 mOhm @ 73A, 10V
  • Strata mocy (max)
    125W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD082N10N3 G
    IPD082N10N3 G-ND
    IPD082N10N3GBTMA1TR
    SP000485986
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3980pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD082N10N3GBTMA1”.
IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 73A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD1-02-D-GP

IPD1-02-D-GP

Opis: MINI-POWER CONNECTOR

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 90A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD1-02-D

IPD1-02-D

Opis: POWER HOUSING MINI MATE

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.