Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD040N03LGATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1757741Obraz IPD040N03LGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD040N03LGATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.469
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD040N03LGATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD040N03LGATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    79W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD040N03L G
    IPD040N03LG
    IPD040N03LG-ND
    IPD040N03LGATMA1TR
    IPD040N03LGINTR
    IPD040N03LGINTR-ND
    IPD040N03LGXT
    SP000680628
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3900pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD040N03LGATMA1”.
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD050N03LGBTMA1

IPD050N03LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD03N03LB G

IPD03N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD031N03M G

IPD031N03M G

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 90A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD035N06L3GATMA1

IPD035N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD038N04NGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD033N06NATMA1

IPD033N06NATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD036N04LGBTMA1

IPD036N04LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.