Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB80N06S4L07ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5828688Obraz IPB80N06S4L07ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S4L07ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.478
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB80N06S4L07ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB80N06S4L07ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 40µA
  • Vgs (maks.)
    ±16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-3-2
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.4 mOhm @ 80A, 10V
  • Strata mocy (max)
    79W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB80N06S4L-07
    IPB80N06S4L-07-ND
    IPB80N06S4L07ATMA1TR
    SP000415572
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5680pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB80N06S4L07ATMA1”.
IPB80N06S3L-06

IPB80N06S3L-06

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S3-07

IPB80N06S3-07

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80P04P407ATMA1

IPB80P04P407ATMA1

Opis: MOSFET P-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80P04P405ATMA1

IPB80P04P405ATMA1

Opis: MOSFET P-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S3-05

IPB80N06S3-05

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80P03P405ATMA1

IPB80P03P405ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S3L-05

IPB80N06S3L-05

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80P03P4L07ATMA1

IPB80P03P4L07ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80P03P4L04ATMA1

IPB80P03P4L04ATMA1

Opis: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.