Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB80N06S2L-H5
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6954804Obraz IPB80N06S2L-H5.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S2L-H5

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB80N06S2L-H5
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB80N06S2L-H5.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-3-2
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    55V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB80N06S2L-H5”.
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.