Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB70N10S312ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2569773Obraz IPB70N10S312ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB70N10S312ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.08
10+
$1.879
100+
$1.51
500+
$1.174
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB70N10S312ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB70N10S312ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO263-3-2
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    11.3 mOhm @ 70A, 10V
  • Strata mocy (max)
    125W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB70N10S3-12INDKR
    IPB70N10S3-12INDKR-ND
    IPB70N10S312ATMA1DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4355pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB70N10S312ATMA1”.
IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N12S3L12ATMA1

IPB70N12S3L12ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R660CFDATMA1

IPB65R660CFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N04S3-07

IPB70N04S3-07

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09

Opis: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N04S406ATMA1

IPB70N04S406ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N12S311ATMA1

IPB70N12S311ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R280E6ATMA1

IPB65R280E6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R420CFDATMA1

IPB65R420CFDATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R600C6ATMA1

IPB65R600C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R380C6ATMA1

IPB65R380C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.