Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPB60R380C6ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5972461Obraz IPB60R380C6ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R380C6ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.33
10+
$2.102
100+
$1.689
500+
$1.314
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPB60R380C6ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPB60R380C6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 320µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    380 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    83W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    IPB60R380C6ATMA1DKR
    IPB60R380C6DKR
    IPB60R380C6DKR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    700pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10.6A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPB60R380C6ATMA1”.
IPB60R380P6ATMA1

IPB60R380P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB64N25S320ATMA1

IPB64N25S320ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R360P7ATMA1

IPB60R360P7ATMA1

Opis: MOSFET TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R600C6ATMA1

IPB60R600C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280P6ATMA1

IPB60R280P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R385CPATMA1

IPB60R385CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R950C6ATMA1

IPB60R950C6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R250CPATMA1

IPB60R250CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R600CPATMA1

IPB60R600CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R230P6ATMA1

IPB60R230P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB65R045C7ATMA1

IPB65R045C7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R520CPATMA1

IPB60R520CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R330P6ATMA1

IPB60R330P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R600P6ATMA1

IPB60R600P6ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1

Opis: MOSFET TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPB60R299CPAATMA1

IPB60R299CPAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.